Много от компонентите на днешните смартфони са се променили драстично за последните няколко години. ARM процесорите са тръгнали от не повече от 1Ghz, а сега има и такива с по осем ядра, поддържайки два пъти повече във всяко. Дисплеите – от ниски резолюции 480 х 800 пиксела до Ultra HD. Камерите също са пораснали то 3MP до 16MP. Но какво можем да кажем за вътрешната памет? Няма спор, че и това се е развило (от скромния 1GB, до чудовищата с по 64GB в момента на пазара), но в тази сфера няма революция. Досега.
Учени от Университета Райс работят по нова технология за така наречената Resistive RAM памет (RRAM). Новият им материал, който е от порест силициев оксид и позволява да се намали волтажа, може да се произвежда под стайна температура. Това го прави много по-евтин, а и дава по-добри резултати.
Идеята на RRAM паметта е използването на диелектрици (материал, който под нормални условия не провежда електричен ток), които се поставят между две жици. Когато по тези жици протече достатъчно голямо количество ток, в диелектрика се появява тесен път. Това значи, че клетката може да бъде или включена, или изключена, като ключа за лампата. На компютърен език, тя може да бъде или „1“, или „0“.
Според екипа, работещ по паметта, RRAM се предполага да замени използваните в момента технологии за памет до няколко години. Специалистите от Crossbar имат планове за прототипи на RRAM, която ще може да събере около 1 терабайт на чип с големината на пощенска марка. Това е 50 пъти повече от днешната плътност на информацията в харддисковете и флаш-паметите.
Новата памет от Университета Райс използва силициев оксид като диелектрик. Силицият е най-разпространеният елемент на Земята и може би най-добре изучаваният. Това е типична част от съвременните микрочипове. През 2010 година екип от учени, воден от химика Джеймс Тур, открива как да създаде проводящи пътища с нажежаема жичка в силициев оксид. По-късно точно това отваря вратите към RRAM паметта.
Ако трябва да вярваме на химиците, RRAM е бъдещето. „Може да се произвежда на стайна температура, има много нисък волтаж, ниска консумация на енергия, 9-битов капацитет на всяка клетка, много бързо зареждане и издръжливост на презапис на информация“, казва Деймс Тур.
Новата технология за производство вече е привлякла интереса на няколко производителя, които желаят да лицензират технологията. Дано това значи, че в следващите няколко години можем да кажем „Довиждане!“ на флаш-паметта и „Здравей!“ на 1TB RRAM?
